2024年12月17日

先日の報道によると、TSMCはオランダの半導体装置メーカーASMLから、高開口数（High-NA）極端紫外線（EUV）露光装置であるEXE:5000を受け取った。競争が激化する半導体業界において、リーダーの地位を維持するため、TSMCがAIチップの先端プロセスに対する需要の急速な高まりに積極的に対応していることが伺える。

これに先立ち、TSMCはEUV露光プロセスを採用したN7＋プロセスノードを発表した。これにより、TSMCはEUVの生産能力を急速に拡大した。現在、TSMCは世界全体におけるEUV露光装置設置台数の56％を占めており、これはN5プロセスノード、N3プロセスノード、そして今後のN2プロセスノードでも引き続き活用できる。

High-NA EUV露光装置は、開口数を従来の0.33から0.55に拡大することでウエハ上での解像度をさらに高め、回路パターンの描画工程をより精密に行えるようになる。TSMCの計画によれば、High-NA EUV露光装置は後にA14（1.4nm）プロセスノードの製造に導入される予定で、2027年には量産段階に入る見込みだ。

引用元：https://technews.tw/2024/11/18/tsmc-actively-deploys-and-develops-high-na-euv-process/