日期：2026年6月8日

【Vol 241】為因應全球半導體技術的劇烈競爭、提升專利審查的「可預測性」與「一致性」，韓國智慧財產廳（MIPO）於 2026 年 3 月 9 日正式發布了《半導體領域專利審查實務指南》（作為其技術領域別審查實務指南的第 12 部分）。

這部指南是特別針對半導體產業特性（如：製程繁複、高度依賴物理特性與數據、AI 深度融合等）量身打造的官方實務指引，旨在幫助企業（特別是缺乏智財資源的 IC 設計、設備與材料中小企業）及早取得高品質且穩固的專利權。

以下為該指南的核心重點解析：

一、 指南制定的三大核心專利審查基準

MIPO從實際的半導體審查案例中精選常見類型，針對以下三項核心專利要件，制定了具體的判斷標準：

1. 發明說明書之記載要件（可據以實施）

　　•　核心規範： 審查發明是否能僅依說明書記載的內容，讓該領域的通常知識者（工程師）得以實現。

　　•　半導體痛點： 半導體常涉及特殊的物理特性、製程參數或複雜的晶圓堆疊。若說明書只寫出預期結果，卻缺乏具體製程參數、實驗數據或支持性證據（數據支持），在實務上將被判定為「無法據以實施」而遭到駁回。

2. 申請專利範圍之記載要件（明確性判定）

　　•　核心規範： 規範申請專利範圍（Claims）中所使用的技術用語必須具體且明確。

　　•　「製造方法界定物（Product-by-Process, PBP）請求項」： 指南特別針對半導體常見的「PBP（Product-by-Process）」申請案（即用製造方法來界定產品結構）提供了具體的審查與舉證責任判定原則，避免權利範圍過於模糊。

3. 進步性與非顯而易見性之判斷

釐清先前技術（Prior Art）的結合動機，避免審查官流於「後見之明」而輕易否定創新價值。

　　•　設計變更的認定： 若申請人僅進行「單純的形狀、數值變更」且未產生預期之外的特殊質變，將被視為缺乏進步性。

　　•　案例對比：

　　　　o 被否定進步性（案例）： 將最上層奈米線斷面從圓形改為「淚滴型」，但說明書未證明此形狀在電性或製程上有何顯著優勢，被認定為隨意變更。

　　　　o 具備進步性（案例）： 為了防切割裂紋在晶圓邊緣設計雙層階梯。雖然先前技術有類似結構，但先前技術的初衷是為了「防潮」且結構上會阻礙新發明，兩者缺乏「結合動機」，因此認定具備進步性。

二、 2026 年半導體新興技術的專利門檻

　　•　先進製程與結構： 針對 2 奈米以下節點、環繞式閘極（GAA）技術、高頻寬記憶體（HBM4）及先進封裝（如玻璃基板）的特殊堆疊與物理干涉，提高對技術常識與結構創新的審查精準度。

　　•　當物理邏輯遇上 AI 算法： 當半導體研發或檢測引入 AI 驅動模型時（例如晶片缺陷檢測、智慧製造製程調校），指南指出「僅改變 AI 的應用場景」是不夠的。專利必須證明 AI 的算法結構或模型參數，針對半導體的特定物理問題進行了「實質性創新」與深度耦合。　　　　　　　　　　

三、 戰略建議

這部實務指南將顯著提升審查的一致性，深耕半導體的智財戰略競爭力。 對於半導體業者而言，未來的專利布局應揚棄過去「只綁範圍、不寫細節」的策略，轉而注重說明書內實驗數據的支持、原理解析的深度，以及明確標示數值的「臨界意義」（即證明該參數能帶來性能質變），方能順利通過MIPO的新審查標準。