日本知財高裁推翻特許廳關於專利進步性的判斷方式(日亞化學「氮化物半導體積層體及使用該半導體積層體之發光元件」案)

日期:2022年1月18日

【Vol 151】令和2年3月19日,日本知的財產高等裁判所(Intellectual Property High Court of Japan,下稱知財高裁,即日本的智慧財產法院)推翻了日本特許廳(日本特許庁,JPO)對日亞化學工業股份有限公司所擁有的日本專利第6252092號「氮化物半導體積層體及使用該半導體積層體之發光元件」發明專利權應予撤銷的異議決定(令和元年(行ケ)第10100號判決),判定該專利具有進步性。

日本知財高裁於本案中特別指出,當系爭專利與引證文獻在技術特徵的使用上意義相異的情況下,排除引證文獻之技術意義而逕自將其上位概念化後導出系爭專利之技術之方式,係屬於後見之明。

系爭專利的主要技術特徵

本案請求項1為:

「一種氮化物半導體積層體,其特徵係包含:

一模板基板,係鄰接於上方具有c面之由藍寶石所成之下地基板上方形成有厚度2以上4微米以下之氮化鋁所成之緩衝層;

一超晶格層,係鄰接於該模板基板上方而形成,且交互地積層氮化鋁鎵層及氮化鋁層而成;

一第一組成漸變層,係鄰接於該超晶格層上方而形成,且由無摻雜氮化鋁鎵所成,該無摻雜氮化鋁鎵中鋁比率mA11從該超晶格層側往上方遞減;

一第二組成漸變層,係鄰接於該第一組成漸變層上方而形成,且由n型雜質摻雜之氮化鋁鎵所成,該n型雜質摻雜之氮化鋁鎵中鋁比率mA12從該第一組成漸變層往上方遞減;

一活性層,係鄰接於該第二組成漸變層上方而形成,且由III族氮化物半導體所成,並具有一發出深紫外光之發光層;及

一p側層,係鄰接於該活性層上方而形成。」

日本特許廳認定系爭專利不具進步性應予撤銷專利權

日本特許廳認定所屬技術領域中具有通常知識者可以藉由引證1所記載的發明組合引證4到6所揭示之公知技術,輕易完成系爭專利之發明。

本案主要爭點

日亞化不服日本特許廳的決定,因而向日本知財高裁提出上訴。本案的主要爭點為:

  1. 日本特許廳基於引證文獻4~6認定系爭專利技術(半導體發光元件技術中,為了解決降低驅動電壓的課題,採用將AlGaN層中Al比率漸變的組成漸變層),為公知之技術乙點,是否有誤?
  2. 日本特許廳認定引證發明A與系爭專利有組合之動機,是否有誤?

日本知財高裁推翻日本特許廳決定

日本知財高裁基於下列兩個理由,認定系爭專利具有進步性,推翻了日本特許廳所作成之專利權應予撤銷的決定。

  1. 日本特許廳基於引證文獻4~6認定系爭專利技術(半導體發光元件技術中,為了解決降低驅動電壓的課題,採用將AlGaN層中Al比率漸變的組成漸變層),為公知之技術乙點,顯有錯誤:

    本案所記載之發光元件中,以降低驅動電壓為目的採用將AlGaN層中Al比率漸變之組成漸變層。

    引證4到6所記載之發光元件,雖皆有由AlGaN層或AlGaAs層作為組成漸變層,但引證4中係為了緩和在緩衝層及活性層中結晶晶格應變,作為防護層鄰接於緩衝層之組成漸變層;引證5中係為了減低鄰接兩層(接觸層及包覆層)中異質能隙(ヘテロギャップ)由該兩層自身作為組成漸變層;引證6中係為了減低鄰接兩層中異質能隙,在兩層中設置新的組成漸變層。

    因此,日本知財高裁認為,特許廳用以推定系爭專利無效之引證4到6中,組成漸變層之技術是以彼此各自相異技術意義而被採用作為構成各個元件的半導體積層體構造的一部份。因此,要從各引證文獻中所記載的事項將半導體積層體構造及技術上意義捨去後進行上位概念化,始能導出本案技術(以降低驅動電壓為目的採用將AlGaN層中Al比率漸變之組成漸變層),可說是後見之明,據此,日本知財高裁認為引證4~6無法證明此為公知之技術。

     

  2. 引證發明A與系爭專利的組合動機並不明顯:

    日本特許廳主張為了緩和半導體積層體中晶格不匹配的問題而使用組成漸變層,為公知之技術事項﹔再者,對於所屬技術領域具有通常知識者而言,會知道引證發明A中半導體積層體有發生晶格不匹配之現象,故根據引證發明A及為了緩和晶格不匹配之現象,有明確動機將無摻雜層及摻雜層作為組成漸變層。

    但是,上述主張不被日本知財高裁所採信。

    日本知財高裁認為,於半導體積層體之通常技術常識中,為了採用由相異組成之半導體積層之構造,無法單由沒有晶格常數差的半導體層來構成元件,因此並無足夠證據顯示在半導體積層體中採用組成漸變層是常見的作法。再加上引證4及5中組合漸變層僅作為附加的構成,實施例中沒加上組合漸變層的情況佔大多數

    進一步地,設置組合漸變層也伴隨著成膜困難之缺點,業者也可能選擇採用設置組合漸變層以外的手段,例如考慮到薄膜厚薄及晶格常數差大小做出容許晶格常數差的設計或設置應力緩和層等方式。即使在組成漸變層能緩和晶格常數差為公知技術的情況下,所屬技術領域具有通常知識者也可能因不能接受半導體層間之晶格常數差而不嘗試使用組合漸變層。至少要有引證發明A因為晶格常數差發生問題等類似契機,才容易連結到使用組合漸變層的想法,始能堪稱有明確動機

    引證1中記載的超晶格緩衝係為了「緩和應力」,並未有將具備超晶格緩衝之半導體積層體中各個半導體層間之晶格常數差做為課題的記載。進一步地,也難以想像所屬技術領域具有通常知識者會為了讓晶格常數的差距更明顯,在假定各個半導體層的組成比率後進一步做分開的討論。且就算所屬技術領域具有通常知識者皆了解如特許廳主張之晶格常數差,也較可能認定係為了緩和晶格常數差才使用組成漸變層。進一步地,特許廳主張超晶格緩衝和摻雜層間晶格常數可能不存在差異,在此情況下,就算為了使摻雜層晶格和電子供給層匹配而將摻雜層作成組成漸變層,也沒有動機把不屬於摻雜層的無摻雜層做成組成漸變層。

     

 

本所評析及策略建議

在本案中日本知財高裁之所以撤銷日本特許廳裁定關鍵在於:日本特許廳並未詳細分析引證文獻中記載的發明內容,就將其上位概念化後逕行認定為相同技術,而做出具有組合動機的判斷。反之,日本知財高裁則詳細分析引證4到6中各自記載的發明內容基礎上去認定「組成漸變層」的技術意義。

日本知財高裁特別指出,當系爭專利與引證文獻在技術特徵的使用上意義相異的情況下,排除引證文獻之技術意義而逕自將其上位概念化後導出系爭專利之技術之方式,係屬於後見之明。

因此,欲布局日本專利的申請人當收到核駁意見時,可善加利用此判決的見解於審查意見答辯、申復,詳細分析複數引證文獻揭示的技術意義並爭論並無組合動機,以成功地獲准專利。

 

 

 

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